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IXTK 250N10
180
160
Fig. 7. Transconductance
330
300
Fig. 8. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
140
120
100
80
60
T J = -40oC
25oC
125oC
270
240
210
180
150
120
90
40
20
0
60
30
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
30
60
90
120 150 180 210 240 270 300
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
100000
V S D - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 50V
f = 1MHz
8
7
6
5
4
3
2
1
0
I D = 90A
I G = 10mA
10000
1000
C rss
C iss
C oss
0
50
100
150 200 250 300
Q G - nanoCoulombs
350
400
450
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10000
Fig. 11. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
0.18
0.16
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
R DS(on) Limit
T C = 25oC
0.14
1000
25μs
100μs
0.12
0.10
0.08
100
1ms
0.06
10
DC
10ms
0.04
0.02
0.00
1
10
V D S - Volts
100
1000
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
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